Basic HTML Version
129
Výzkum a vývoj polovodičů v Tesle Rožnov
Požadavek extrémní spolehlivosti si vynutil studium poruchových mechanismů této struktury a prevence proti je-
jich vzniku. Tím se všeobecně změnil přístup ke spolehlivosti od pasivního vytřídění nespolehlivých obvodů měře-
ním k aktivnímu zabudování prvků spolehlivosti přímo do technologického procesu a jednotlivých polovodičových
struktur.
Technologie slunečních článků
Na přelomu 80. a 90. let vzniká projekt vývoje slunečních článků. Projekt je zahájen v době hledání nových trhů po
pádu sovětské ekonomiky a tím i největšího zákazníka Tesly Rožnov. Rychlý vývoj této technologie a slibná jednání
s odbytovými firmami v bývalé Jugoslávii a v Rakousku byly přerušeny válečným konfliktem na Balkáně. Přesto vývoj
technologie slunečních článků pokračoval a vyústil do výrobní realizace. Později, v roce 1993, došlo k založení nové
společnosti Solartec a posléze k úplnému oddělení od výrobní linky Tesla Sezam.
GHz technologie IMPACT X
Koncem 80. let začal vývoj generačně nové technologie určené pro aplikace v GHz oblasti. Prvé dvě části projektu
zahrnovaly vývoj 12GHz tranzistoru a trench izolace. Tranzistor na extrémně tenké epitaxní vrstvě < 1μm využíval
dvě vrstvy Poly Si pro realizaci bázových kontaktů a emitoru. Pro přesné nastavení rbb’ a pro přesnou kontrolu emi-
tor-bázové kapacity byl vyvinut „spacer”. Pro zlepšení vf vlastností byl použit vysokoenergetický implant fosforu do
subkolektoru. Zatímco vývoj samotné tranzistorové struktury byl úspěšně dokončen, druhá část tj. trench izolace
byly v relativně vysokém stupni vývoje přerušeny a kompletní GHz technologie nebyla výrobně realizována. Důvo-
dem byl nedostatek financí při hluboké krizi v r. 1993. Technologie IMPACT X patřila v oblasti bipolárních technologií
v r. 1993 ke špičkovým technologiím na světě.
Detektory rychlých elementárních částic
Začátkem 90. let byla úspěšně vyvinuta technologie stripe detektoru pro CERN (Evropské centrum nukleárního vý-
zkumu) v Ženevě.
Tyto detektory jsou vysokonapětové diody s tloušťkou ochuzené vrstvy rovnou tloušťce Si desky tj. 200 μm a velmi
dlouhou difuzní délkou minoritních nosičů. Tento proces vyžaduje extrémní čistotu křemíku stejně jako extrémní čis-
totu všech vysokoteplotních operací. Po stripe detektorech byl vyvinut proces pro pixel detektory s dvojúrovňovou
metalizací. Tyto detektory vyžadovaly Si materiál s požadovaným odporem 6 k
cm , což byl důvod, proč nakonec ne-
došlo k jejich průmyslové realizaci.
Infračervená kamera
Tesla Rožnov spolupracovala na rozsáhlém projektu vývoje infračervené kamery. Srdcem kamery byl čip senzoru
s maticí Schottkyho diod Pt-PSi. Pro nedostatek finančních prostředků však musel být projekt ve vysokém stupni roz-
pracování zastaven.
Vladimír Strakoš