Basic HTML Version
128
Výzkum a vývoj polovodičů v Tesle Rožnov
potlačuje 1/f šum, což je vítané především u akustických výkonových zesilovačů a u vícebitových převodníků. Jiným
příkladem rozšíření návrhových možností byla integrace vertikálního plně izolovaného PNP tranzistoru. Tato verze
technologie umožnila podstatně zlepšit symetrii komplementární dvojice tranzistorů NPN – PNP , které se s úspěchem
využívají v push-pull zapojení. Tento typ tranzistoru byl vyvinut pro obvod MDA6200.
Zavedení Silicid Chromovych odporů
Dalším zlepšením SBC struktury bylo zavedení depozice silicid chromových odporů v roce 1980, použitých prvně
v MAC 01. Tyto odpory s téměř nulovým tepelným koeficientem odporu, trimované laserem, umožnily vývoj stabilní-
ho 12bitového DA převodníku MDAC 565/566. Řešení laserového trimování přineslo mnoho nových poznatků zvláště
z oblasti optických vlastností dielektrických multivrstev, což svědčilo o relativně vysoké odborné úrovni týmu VaV
v Tesle Rožnov na přelomu sedmdesátých a osmdesátých let.
Kombinovaná technologie BIFET
Významnou vývojovou větev lineárních integrovaných obvodů konce sedmdesátých a začátku osmdesátých let před-
stavuje technologie BIFET. Standardní struktura SBC je v tomto případě doplněna nezbytnými implantovanými a pa-
sivačními vrstvami, které umožňují vytvořit v této struktuře přechodový polem řízený tranzistor JFET. JFET tranzistory
integrované do SBC struktury nabízejí jejich použití jako vysokoimpendanční součástky pro vstupy v IO. Jejich hlavní
použití bylo v BIFET převodnících a analogových multiplexerech.
Integrovaná Injekčni Logika I
2
L
V polovině sedmdesátých let se rozvíjí důležitá komodita – zákaznické integrované obvody. V Tesle Rožnov byl vývoj
veden dvěma cestami. Jednak to byla jednoduchá technologie I
2
L využívající epitaxní vrstvu na N+ substrátu a jednak
to byla kombinovaná lineární technologie SBC s injekční logikou. Obě verze byly relativně úspěšné. V rámci projektu
zákaznických obvodů se začal budovat knihovní systém funkčních bloků. Příkladem kombinace hned tří technologií
v jediném procesu byl v roce 1989 IO MDA1533, ve kterém byly použity technologické bloky: lineární – I
2
L – CML.
Tenzometry
Do sortimentu Tesly Rožnov patřily také tenzometry, které byly vyvíjeny a do výroby zaváděny ve spolupráci s Teslou
VÚST A. S. Popova. Prvá skupina tenzometrů využívala tlustou membránu tvořenou celou tloušťkou Si desky, novější
mnohem citlivější verze využívala již leptáním ztenčenou membránu.
Superbeta technologie
Díky využití výhod iontové implantace byla v roce 1981 vyvinuta a výrobně aplikována technologie „superbeta“, jejíž
tranzistory dosahují reprodukovatelné bety až 1700. Další výhodou superbeta technologie jsou velmi nízké šumy, což
bylo využito s úspěchem například v IO typu MDA2054.
Technologie kardiostimulátoru
Pečlivé přehodnocení vysokoteplotních operací a redukce maximálních koncentrací difuzních a implantovaných
vrstev byly základními předpoklady pro vývoj technologie s vysokou spolehlivostí vhodnou pro integrovaný obvod
kardiostimulátoru.