Basic HTML Version
130
Výzkum a vývoj polovodičů v Tesle Rožnov
A jak vypadá výzkum a vývoj v Rožnově dnes?
Napoví přetisk z firemního časopisu
O N
ÁS z prosince 2012
Rok 2011 v rožnovském výzkumu a vývoji
Zásadní události z rožnovského výzkumu a vývoje v roce 2011 jsou shrnuty v následujícím přehledném kalendáriu.
LEDEN
Spouštíme projekt transferu SANYO tech-
nologií pro výrobu diskrétních součástek
ních sedmi převáděných technologií zbu-
Trench IGBT.
jových projektech podporovaných Minister-
vývojovém projektu podporovaném Tech-
nologickou agenturou ČR. Celková dotace
tří let bude 28 mil. Kč.
ÚNOR
Kvalifikujeme technologie pro výrobu
omezena pouze pro určitý tržní segment. Plná
Vyrábíme první vzorky leštěných 150mm
křemíkových desek krystalografické orienta-
ce <110>.
me rekordní rovinnosti 150mm křemíkových
jehož se účastní 21 hostů ze zahraničí, přede-
BŘEZEN
CLPD – první produkt bipolární technologie
Je schválena specifikace nové 150mm
křemíkové desky pro SOI technologie.
Realizujeme dodávku prvních 16 kusů SOI
tloušťka aktivní vrstvy je 3 ± 0.5 μm.
DUBEN
ní přestávce znovu rozbíhá. Cílem projektu
bilový průmysl.
KVĚTEN
doby života minoritních nosičů náboje. Tento
proces umožňuje dosáhnut lepšího saturač-
nání se součástkou ozařovanou elektrono-
vým svazkem.
kem 26 odborných příspěvků.
nese zcela nové portfolio produktů pro CZ2
kačním potenciálem.
ČERVEN
Vyvíjíme optimalizovanou součástku
HIC moduly.
Zahajujeme kvalifikaci proudových zdro-
verze proudového zdroje umožní přímou
náhradu standardních fluorescenčních trubic
světelnými diodami.
Ověřili jsme způsobilost procesu výroby
ním (tzv. BG-SOI deska).
ČERVENEC
gie Clip Package NJFET CCR pro výrobu prou-
dových zdrojů DC LED osvětlení. Technologie
SRPEN
Je uzavřeno výběrové řízení pro zaříze-
vyhrává německá firma Süss MicroTec.
ZÁŘÍ
SOI desky.
dokončujeme první sadu desek této součást-
splňují specifikace SANYO.
ŘÍJEN
Spojujeme Roadmapu vývoje technologií
me vývoj nové technologii pro výrobu sou-
technologie umožňuje výrazně snížit ztráty
nologií.
LISTOPAD
Zahajujeme vývoj technologie HD+
Shrink, která díky výraznému zmenšení čipů
ního podílu.
Je ukončen transfer NJFET CCR součástek
(tzv. MCZ).
nologii ON50.
Pavel Freundlich