Basic HTML Version
127
Výzkum a vývoj polovodičů v Tesle Rožnov
obvodů až o řád ve srovnání s obvody TTL. STTL technologie prošla později rekonstrukcí (shrink), při které došlo k vý-
raznému zvýšení hustoty funkčních prvků v čipu.
Paměti využívající technologii TTL a STTL
Významnou aplikací na technologii TTL a STTL byly v polovině sedmdesátých let polovodičové paměti. Na TTL
technologii to byla prvá 64 bitová RAM paměť MH 7489, další paměť na technologii STTL byla MH74S201 a koneč-
ně 1k-bitová RAM paměť MH 82S11. Paralelně s vývojem RAM paměti jsou vyvíjeny také ROM a PROM paměti. Byly
to například MH74188, MH74S187, MH74S287 a 2k-bitová PROM paměť MH74S571.
Rozvoj nových technologických operací
Další rozvoj polovodičových struktur byl nemyslitelný bez inovací jednotlivých operací. Důležitým mezníkem byl
přechod od želatinových masek k maskám chromovým a hlavně zavedení licenční (Balzers) výroby těchto masek
v Rožnově. Pro zvýšení kvality vody byla zavedena technologie reverzní osmózy. Důležité byly investice do nových
technologických operací jako iontová implantace, naprašování kovových slitin, plazmatické leptání a depozice,
laserové trimování a další.
Isoplanární technologie
V polovině sedmdesátých let startuje vývoj generačně nové technologie pro velmi rychlé číslicové obvody s vysokou
hustotou součástek. Tato technologie se plně rozvíjí hlavně v osmdesátých letech. Je to isoplanární technologie. Mezi
základní rysy této technologie patří dielektrická izolace součástek v horizontálním směru umožňující použití přesaho-
vých masek a tím radikální zvýšení hustoty součástek, dále významné zmenšení struktury ve vertikálním směru (epi-
taxní vrstva tenčí než 2
m), použití iontové implantace pro všechny vrstvy aktivní tranzistorové struktury, zachování
tlustých oxidů v poli, které snižují parazitní kapacity, využití trojvrstvé metalizace PtSi-TiW-AlSiCu umožňující realizo-
vat Schottkyho diody a další progresívní vlastnosti a zlepšení.
Paměti a ALS obvody na isoplanární technologii
Technologie Isoplanar byla použita jednak pro realizaci velmi rychlých číslicových obvodů řady ALS (Advanced Low
power Schottky) a jednak pro realizaci rychlých RAM a PROM pamětí.
Úspěšný vývoj dvojúrovňové metalizace využívající v první úrovni trojvrstvu PtSi-TiW-AlSiCu a novější verze Iso-
planar 2 s vymývanými emitory vedl ke konstrukci velmi rychlé 1-kbitové paměti RAM typu MH 93425, ale i velkých
ALS obvodů. Mezi největší obvody na isoplanární technologii patřila 4-kbitová a 8k-bitová PROM paměť (MH74448
a MH74451).
Rozšíření lineární SBC technologie
V základním sortimentu lineárních IO na SBC technologii byly začátkem sedmdesátých let operační zesilovače, napě-
ťové regulátory, později televizní obvody a první typy převodníků. Další vývoj se po roce 1970 ubíral cestou rozšiřování
základní struktury SBC o nové difuzní a implantované vrstvy umožňující rozšíření sortimentu základních funkčních
prvků. Zavedení hlubokých difuzí P+ a N+ umožnilo vývoj a výrobu výkonových nízkofrekvenčních audio zesilovačů
MBA 810, výkonových operačních zesilovačů MDA 2010, MDA2020 a dalších. Tranzistory PNP byly zdokonaleny na úro-
veň NPN tranzistorů, což umožnilo kromě jiného realizovat komplementární předzesilovací stupně. Kvalitní vertikální
substrátový PNP tranzistor byl úspěšně využíván v Darlingtonově zapojení na vstupu obvodu. Toto řešení významně