Basic HTML Version
126
Výzkum a vývoj polovodičů v Tesle Rožnov
Sem patří např. KF 167 a KF 173 vyrobené planární epitaxní technologií anebo NPN tranzistor KF 242 pro UHF pásmo
(900 MHz). V letech 1991–92 byla vyvinuta nová technologie IGBT (bipolární tranzistor s izolovaným hradlem), což je
kombinovaná technologie výkonového bipolárního tranzistoru s řídícím MOS tranzistorem integrovaným do jediné
struktury. Tento prvek se však již nedočkal výrobní realizace v důsledku krize a ekonomických změn jak u nás, tak
v celé východní Evropě.
MIS technologie v Tesle Rožnov
V roce 1966 byla vyvinuta klasická
Metal Gate technologie
. V následujícím roce byl do výroby zaveden prvý N-ka-
nálový MOS tranzistor KF 520. Následovaly tranzistory KF 521 a další, které měly již vysokou strmost a tím i širokou
použitelnost.
V roce 1967–68 začíná vývoj
MTNS technologie
slučitelné s TTL obvody. Je to technologie obdobná technologii
LOCOS, to je technologie využívající tlustý oxid křemíku v poli s tím, že hradlové dielektrikum je tvořeno dvojvrstvou
nitrid křemíku / oxid křemíku, Si deska je v rovině (111) a použité tranzistory jsou P-kanálové. Vývoj této technologie
byl umožněn zvládnutím vysokoteplotní depozice nitridu křemíku. Používána byla oxidace z tekutého kyslíku ve dvo-
jité difuzní trubici. Na bázi MTNS technologie byl vyvinut nejprve dvojitý P-kanálový tranzistor KF 551, později byl pře-
vzat z VÚST A. S. Popova v Praze sortiment několika posuvných registrů, z nichž prvý tzv. „váhový registr” byl zaveden
do výroby. V roce 1971 byl celý program MIS technologií delimitován z Tesly Rožnov do Tesly Piešťany.
Technologie bipolárních IO
První analogové IO
V prosinci roku 1966 je pod vedením Ing. E. Belluše úspěšně dokončen prvý integrovaný obvod. Je to jednoduchý zesi-
lovač obsahující 3 tranzistory a 2 rezistory, který umožnil ověření základních principů izolačních a principů metalizace.
TTL
V roce 1967 začíná v Tesle Rožnov vývoj planárně epitaxní technologie pro číslicové bipolární IO. Jako první byla vyvi-
nuta klasická struktura SBC (Standard Buried Collector), což je struktura s utopenou kolektorovou vrstvou. Zavedení
difuze zlata pro zkrácení zotavovací doby v bázi tranzistoru bylo základem pro vývoj a výrobu velmi úspěšné řady TTL
číslicových integrovaných obvodů, které byly ekvivalentem k obvodům firmy Texas Instrument řady SN 74... Výrobní
realizace prvých TTL obvodů se datuje od roku 1968. V lednu 1970 byl ukončen vývoj základní řady těchto TTL obvodů.
Zdokonalení analogové technologie
V roce 1969 je otevřen projekt „Realizace prvých operačních zesilovačů“. Stěžejní úlohou v tomto projektu bylo zvlád-
nutí technologie pro integrovaný obvod MAA 501–503 (ekvivalent k IO
A709). Šlo především o využití laterálního
PNP tranzistoru (
~ 8) a substrátového PNP tranzistoru (
~ 30). Dalším problémem, který tato technologie
úspěšně řešila, byla povrchová pasivace, neboť závěrné napětí struktury dosahovalo 40V. Vývoj tohoto operačního
zesilovače byl ukončen v prosinci 1970, což bylo jen o 6 let později proti vývoji u A 709 v USA (Fairchild).
STTL
Začátkem sedmdesátých let se zavádí pro číslicové integrované obvody technologie STTL (Schottky Tranzistor Tran-
zistor Logic). Tato technologie již nepoužívá zlato pro zkrácení doby života minoritních nosičů, ale zavádí Schottkyho
antisaturační diodu zapojenou mezi bázi a kolektor tranzistoru. Tato úprava představuje zkrácení spínacích časů STTL