Basic HTML Version
125
Výzkum a vývoj polovodičů v Tesle Rožnov
Vývoj křemíkových technologií v Tesle Rožnov
v období 1959–1993
Počátky vývoje planární technologie v Tesle Rožnov
V roce 1959 vyvinula firma Fairchild prvý planární tranzistor. V následujícím roce byly publikovány základní principy
planární technologie. V roce 1961 zahajuje Tesla Rožnov výzkum vlastní verze planární technologie. Projekt sestával
z následujících částí:
a) Vývoj čistých materiálů
(monokrystalický křemík, fotolaky, čisté plyny, deionizovaná voda, čisté kyseliny a další)
b) Vývoj základních technologických operací
(epitaxe, difuze, oxidace, fotolitografie, masky, metalizace, pouzdření…)
c) Konstrukce a realizace technologických zařízení
d) Vybudování prvých čistých prostor včetně flow-boxů
Zvládnutí vývoje prvé verze planární technologie v Tesle Rožnov bylo demonstrováno v roce 1964 na prvém planár-
ním tranzistoru KF 506, který byl úspěšně zaveden do výroby. V roce 1965 je zahájen nový projekt„Studijní etapa IOPF”
vedený Ing. E. Bellušem, který představuje nástup integrovaných obvodů v Rožnově.
Křemíkové diody
Křemíková technologie se začala prosazovat nejprve slitinovými diodami. Jednou z prvních aplikací planární diodové
struktury byla fotodioda KP 101 určená pro rychlé čtení děrné pásky, která byla v první polovině šedesátých let dob-
rým exportním artiklem na Západ.
Křemíkové tranzistory
V Tesle Rožnov byly křemíkové tranzistory vyvíjeny a zaváděny do výroby vedle běžící výroby germaniových tranzis-
torů již od začátku šedesátých let. Byly to předně technologie MESA – epitaxní a technologie MESA s epitaxní bází pro
NPN výkonové tranzistory řady KU, KUX. Později od poloviny šedesátých let jsou vyvíjeny planární výkonové tranzis-
tory řady KD. Velmi populární byla řada malovýkonových tranzistorů KC 607–609 na planárně-epitaxní technologii.
Koncem šedesátých let dochází k rozvoji technologie spínacích tranzistorů v planární technologii dotované zlatem
pro zkrácení zotavovací doby. Pokrok v planární technologii, speciálně vyřešení pasivace povrchových parazitních ka-
nálů, umožnil rozšířit jednotlivé skupiny NPN tranzistorů o tranzistory PNP, např. tranzistor KF 517, a vytvořit tak kom-
plementární páry. Tento trend pokračuje i v sedmdesátých letech.
Významný byl pokrok ve vysokonapěťových tranzistorech. V roku 1978 byl vyvinut KUY 70 s UCEO > 400V technolo-
gií tzv. „Otočené MESY”. V roce 1989 byly vyvinuty tranzistory s UCEO > 1000V. V letech 1989–1990 došlo ke konverzi
MESA technologie na plnou planární technologii.
V polovině šedesátých let se také bouřlivě rozvíjí oblast vysokofrekvenčních lineárních a spínacích tranzistorů.