Basic HTML Version
187
Faktografie vývoje elektronických součástek
Výroba polovodičů – TESLA Rožnov
•
1955 výroba plošných Ge tranzistorů – řada 1NU70
•
1958 plošné Ge tranzistory řady 101NU70, 151NU70
•
1959 zvládnuta výroba křemíku pro polovodiče
•
1960 Si difuzní diody, Si tranzistory, start planární technologie
•
1968 první lineární integrovaný obvod
•
1969 číslicové integrované obvody – řada TTL (ekvivalent TI SN74xxx)
•
1971 delimitace unipolární technologie do Tesly Piešťany
•
Do roku 1989 postupný nárůst typů a pouzder s celkovou kapacitou cca 100 mil. ks/rok
(včetně montáže v pobočných závodech Havířov, Třinec, Petřvald)
•
1989 – 25 typů pouzder – plast, kov, keramika
•
1989 – vedle výkonových Si tranzistorů cca 20 typových řad integrovaných obvodů
s hustotou integrace MSI, LSI, návrhová pravidla s rozlišením 5 μm